Zajimavy je, ze se uz dlouhou dobu uvazuje, ze pametove bunky DRAM (kondik+tranzistor) a NAND flash budou vicestavove, protoze s dnesni „presnosti“ zesilovacu v pametovych modulech neni problem rozeznat >2 stavy. Je to samozrejme neco jineheho, nez se snazit vytvorin n-stavovou statickou bunku, to mas pravdu, ale obecne >2 stavove pametove bunky zas takovy problem nejsou (a uz vubec ne napriklad pri magnetickem zaznamu atd.)
Názor k článku
Počítač Setuň (Сетунь) a Benderova noční můra
