Názory k článku
Polovodičová technologie používaná u mainframů (II)

To co je na obrazku na prvni pohled neni "Mikroradic PIC". Na druhy pohled to je AT27C256R, coz je uplne stejna obycejna EPROM jako na obrazku vyse akorat v ponekud netypickem pouzdru.

Jj dodám že v pouzdru PLCC32, OTP verze (bez okýnka) se v nich dělali dost často. Například staré CDROMky nebo ~100MB HDD.

No ano, pochybuji že by Microchip produkoval PICy s popisem Atmel :-)

Ajo omlouvam se, vybiral jsem ilustracni obrazky z vetsiho alba, nejak se mi to popletlo (chtel jsem tam ve skutecnosti dat historicky PIC s EPROM).

ale myslel jsem, ze hot-electron-injection neni kvantove tunelovani (ve smyslu ze by elektrony prekonavaly potencial na ktery nemaji energii). To `hot' podle me znamena ze maji dostatecnou rychlost proletet izolatorem i v klasicke fyzice.

Tunelovani je myslim potreba pri mazani NOR-FLASH, kdy po pripojeni vhodneho napeti na drain a gate je elektrickym polem elektronum uveznenym v plovoucim hradle naznaceno ze se maji shromazdit v jeho pravem dolnim rohu odkud jsou pomoci tunelovani vysavany do drainu. Funguje to tak, ze elektrony nahromadivsi-se na okraji hradla zpusobni znacne elektricke pole v izolantu mezi okrajem hradla a drainem cimz vyrazne (exponencialne) vzroste pravdepodobnost ze elektron protuneluje (aniz by se izolator prorazil). Ta exponenciala v soucinosti s rozdelenim naboje pri normalni cinnosti a mazani vysvetluji proc je tak velky rozdil mezi casem mazani FLASH (radove desitky milisekund) a dobou udrzeni dat (cca deset let).

Pekny clanek, diky.

PS: na obrazku 13 jste chtel napsat EPROM misto DRAM.

No možná se seknu, ale domnívám se, že elektron nemůže "proletět" dokonalým izolantem jinak, než tunelováním nebo průrazem. Zde nemůže docházet k nějaké "emisi" elektronu do izolantu, zkrátka protože tam jsou ostatní atomy, které tomu pohybu elektronu brání a odpuzují ho. Jiná věc je, když se elektron emituje do vakua, pak se může pohybovat dál. Klasickým příkladem je elektronka.

No, ony hlavne (E)EPROM pameti zpravidla nepouzivaji horke elektrony, ale Fowler Nordheim (FN) tunelovani, ktere je dusledkem napeti mezi oblasi kanalu a plovouciho hradla. Pri programovani netece pametovou bunkou temer zadny proud.
Tunelovani horkych elektronu pouzivaji az pameti flash. Ty pouzivaji pro zapis horke elektrony a pro mazani FN tunelovani. EEPROM pouzivaji FN tunelovani zpravidla v obou smerech (pro mazani se privede na bunku napeti v opacne polarite oproti zapisu).

Cim se lisi source/drain? Casto vidam teoreticke ilustrace ktere jsou zcela symetricke, ale v praxi je S/D nezamenitelne.. lze to nejak upresnit? Nebo u unipolarnich konstrukci pouzivanych v cipech jsou tyto soucastky symetricke? tj. vedou proud sem i tam?

Konstrukce pouzivane v cipech maji az na vyjimky source a drain schodny.

Doplneni: podival jsem se na odkaz c. 21 a uz je me to trocha jasnejsi - S bude ten, ktery je spojen s B, to by pak vysvetlovalo taky tu "integrovanou" body-diode...

Presne tak, to plati pro MOSFETy, naproti tomu u JFET ta dioda nevznika.

U nekterych MOSFET tranzistoru je source zapojeny i na substrat, ve vysledku to (ted si nejsem jisty) vede k tomu, ze je mezi source a drain jakoby zapojena dioda, takze se ty elektrody skutecne odlisuji.

Ale u JFET jsou tusim zamenitelne, aspon ja jsem mezi tim nikdy nevidel zadne rozdily.

Pozn: na rozdil od bipolarnich tranzistoru, ktere se sice kresli jako struktura tri P-N-P/N-P-N polovodicu, ve skutecnosti vsak neni mozne emitor a kolektor otocit - jak z hlediska geometrie cele struktury, tak i "hustotou" dotace polovodicu akceptory nebo donory.

Otocit to je mozne, ale vysledny tranzistor ma uplne ine vlastnosti. Pouziva sa to v specialnych pripadoch.

Nerad bych se mýlil, ale pokud si dobře vzpomínám, u struktury tranzistoru s vodivým kanálem by měl být ten kanál nakreslen, tedy "tunýlek" (u obr. 3 s červenými tečkami) pod gate propojující oblasti S a D.
To, co je na obrázcích 3 a 13 jsou MOSy s indukovaným kanálem, které při nulovém napětí na gate nevedou.

O to prave jde, aby pri nulovem napeti na gatu nevedly. Dokonce to je tak ze az do urciteho prahu nevedou, proto CMOS hradla maji maly klidovy porud.

Ten `tunylek' maji depletion-mode FETy, kde se elektricke pole gatu pouziva ke zuzovani oblasti ve ktere muze tect proud (podobne jako u JFETu). Vedou i pri nulovem napeti gatu, ale je tezsi je uplne zavrit takze se pro digitalni obvody s malou spotrebou moc nehodi. Myslim ze maji nejake vyhody pro analogove VF obvody.

Já vím, jenže v kapitole 7 o EPROM se přímo píše, že se používají MOSy s vodivám kanálem a bez napětí na gate jsou vodivé, a na ilustračním obrázku kanál nakreslen není.
S CMOS máte pravdu, na obr. 3 jsem tuhle připomínku rozšíříl nesprávně.

16"black pearl necklace

2mm round seed pearls for sale

bead necklace

8mm round champagne pearls

925 sterling silver jewelry

abalone shell

akoya pearl

akoya pearl earrings

akoya pearl necklace

akoya pearl necklaces

akoya pearl powder

akoya pearls

american pearl

american pearls

aquarium pearlset 50 price

baroque shape mabe pearl

beads wholesale

beads wholesale bulk

black pearl bracelet

black pearl earrings

black pearls

blackened sterling silver chain bulk

blue necklace

blue turquoise bracelet

blue turquoise jewe

bracelet with butterfly

bracelets

bracelt in a donut

bridal jewelry

bridal necklace

pokut vim tak se v cartridge (pro herni konzple) pouzilali ROM pameti protoze byli levnejsi nez PROM ci EPROM a tim padem se nema co v ROM smazat jedine ze se cip starim rozpadne apropo ve vetsine domacich pocitacu jak 8/16 mozna i 32 bitovich je zakladni proram "monitor" ulozen tez v ROM. nap na fotce PMD-85 je v horni rade pameti jedna ktera je cela cerna a nejedna se o OPT EPROM jak je dnes bezne a PROM konkretne MHB8608

v clanku mi chybi aspon okrajova zminka o ROM a PROM pametech jinak jde a soubor zajimavich clanku

omluvte mou cestinu je priserna a pokut budete chnit neco nekomentovat tak vse krom te cestiny