Intel dokončil vývoj 32nm výrobního procesu
Společnost Intel dokončila fázi vývoje nového výrobního procesu, který zmenší rozměr tranzistorů v počítačových čipech na 32 nanometrů. První prototyp byl veřejnosti představen v září. Probíhá také příprava na nový výrobní proces zvyšující výkonnost tranzistorů a jejich energetickou úspornost. Předběžné odhady hovoří o čtvrtém čtvrtletí roku 2009.
Studie a prezentace společnosti Intel na téma 32nm výrobního procesu podrobněji popisuje technologický postup, využívající druhou generaci high-k + metal gate technologie, 193nm imersní litografii a pokročilé techniky napětí transistorů. Tyto funkce zvyšují výkon a energetickou účinnost procesorů Intel. Výrobní proces tak dosahuje nejvyššího výkonu hustoty tranzistorů ze všech dosud známých 32nm technologií.
Dále čtěte…
- Intel představil nové SSD disky pro datová centra 12. 4. 2012 12:40
- Jádro 3.4 dostane podporu pro šetřící technologii RC6 5. 4. 2012 8:08
- Ubuntu 12.04 bude mít zapnutou podporu RC6 od Intelu 20. 2. 2012 16:30
- Jak na tom bude Linux s Intel Ivy Bridge 9. 1. 2012 9:15
- Šetřící funkce RC6 opět vypnuta v jádře 3.2 29. 12. 2011 15:49
Nadpis clanku
celé vlákno
fraze
celé vláknopokročilé techniky napětí transistorů - technika napeti tranzistoru?
Re: fraze
celé vlákno"Napětím transistorů" je zřejmě myšleno to, že je použit strained silicon (česky snad předepjatý, napnutý křemík). O co přesně jde, je popsáno třeba zde:
http://www.cdr.cz/a/11493
