CMOS hřeje při přepnutí stavu. V klidu je spotřeba (a tím i výkon) 00 nic. Takže vrstvy se používají třeba u PLD - vespod buňky, nad nima propojovací matice, která je v době běhu statická. Když se vhodně nakombinuje zatížení jako u PLD, kde jsou v horní vrstvě staticky sepnutý tranzistory, LUT a paměť pod tím... :)
Ale třeba přijdou s tím, že udělají N-MOS, nad posledním metalem hodí polySi, pak SiO2 a epitaxní N-Si jako hradlo P-MOS, líp to rozvede napájení a ušetří se nějaký prostor (netřeba vytvářet a propojovat N-Welly). Nechám se překvapit.