Vlákno názorů k článku Čtyřicet let od vzniku mžikových pamětí (Flash) od atarist - Chápu to správně, že čtení z NAND znamená,...

Chápu to správně, že čtení z NAND znamená, že všechny ty buňky v "totemu" (tak se té struktuře tranzistorů nad sebou kdysi říkalo že?) mají přes Gate přivedeno napětí, aby vedly. A jen u jediné buňky, kterou čteme, to napětí není, aby se zjistil její stav? Takže vyčtení řekněme všech 32 bitů je postupné? Nebo naopak se čtení provádí "po řádcích"? (to by dávalo smysl).

Vůbec ale nevím, jak u MLC - tam přece musí zkoušet různé úrovně na Gate a zjišťovat, kdy už tranzistor začne vést. Takže zpomalení (7x čtení pro 3 bity). Nebo mi něco uniklo.

U nahodne vybrane SLC flash vidim: read page: 35us, write page: 350us, erase block: 1500us. Ma to 8192+448B velkou page, ktera se pak prenese externim 200MT/s rozhranim za 43.2us. Ta dulezita informace je pak, ze pamet ma 2 planes, tj. muze delat dve operace - a pri napr. kontinualnim cteni je uzke hrdlo externi rozhrani, ne cteci operace.

Takze ano - interne je READ PAGE operace, ktera ono seriove cteni spojenych bunek prevede do digitalni podoby v dlouhem page registru. Ten zpusob cteni je prave duvod, proc NAND flash je spis "blokove zarizeni", nez jednoduse adresovatelne.

U MLC pameti se nedela vicero cteni - pouziva se "ADC" / sada 2 komparatoru. Logicky jsou data z MLC bunky dostupna jako vicero stranek, ktere spolu souvisi ("shared pages"), takze predpokladam ze komparacni urovne jsou odvozeny z adresy, to by pak mohlo usetrit 50% plochy "prevodniku". Programovani shared page pak meni bud 1/4 naboje nebo 1/2 naboje (v zavislosti na adrese page). Tento pristup taky pak sedi k tomu, ze komparacni urovne lze u lepsich (enterprise) pameti potunit v pripade opakovaneho cteni, kdy radic musi vyuzit veskere inteligence a moznosti, jak ta data obnovit.

14. 4. 2020, 11:16 editováno autorem komentáře