ale myslel jsem, ze hot-electron-injection neni kvantove tunelovani (ve smyslu ze by elektrony prekonavaly potencial na ktery nemaji energii). To `hot' podle me znamena ze maji dostatecnou rychlost proletet izolatorem i v klasicke fyzice.
Tunelovani je myslim potreba pri mazani NOR-FLASH, kdy po pripojeni vhodneho napeti na drain a gate je elektrickym polem elektronum uveznenym v plovoucim hradle naznaceno ze se maji shromazdit v jeho pravem dolnim rohu odkud jsou pomoci tunelovani vysavany do drainu. Funguje to tak, ze elektrony nahromadivsi-se na okraji hradla zpusobni znacne elektricke pole v izolantu mezi okrajem hradla a drainem cimz vyrazne (exponencialne) vzroste pravdepodobnost ze elektron protuneluje (aniz by se izolator prorazil). Ta exponenciala v soucinosti s rozdelenim naboje pri normalni cinnosti a mazani vysvetluji proc je tak velky rozdil mezi casem mazani FLASH (radove desitky milisekund) a dobou udrzeni dat (cca deset let).
Pekny clanek, diky.
PS: na obrazku 13 jste chtel napsat EPROM misto DRAM.
No možná se seknu, ale domnívám se, že elektron nemůže "proletět" dokonalým izolantem jinak, než tunelováním nebo průrazem. Zde nemůže docházet k nějaké "emisi" elektronu do izolantu, zkrátka protože tam jsou ostatní atomy, které tomu pohybu elektronu brání a odpuzují ho. Jiná věc je, když se elektron emituje do vakua, pak se může pohybovat dál. Klasickým příkladem je elektronka.
No, ony hlavne (E)EPROM pameti zpravidla nepouzivaji horke elektrony, ale Fowler Nordheim (FN) tunelovani, ktere je dusledkem napeti mezi oblasi kanalu a plovouciho hradla. Pri programovani netece pametovou bunkou temer zadny proud.
Tunelovani horkych elektronu pouzivaji az pameti flash. Ty pouzivaji pro zapis horke elektrony a pro mazani FN tunelovani. EEPROM pouzivaji FN tunelovani zpravidla v obou smerech (pro mazani se privede na bunku napeti v opacne polarite oproti zapisu).
