Vlákno názorů k článku Polovodičový průmysl na cestě od nanometrů k ångströmům od Peter Fodrek - >A ještě jednu věc musíme přihodit na seznam:...
-
Peter FodrekZlatý podporovatel>A ještě jednu věc musíme přihodit na seznam: lepení čipletů ne jen vedle
>sebe (jako v současnosti u AMD), ale i ve vrstvách na sebeNo moment V-cache 3D chache od AMd je nad sebou a používa TSV
...
>Intel toto nyní s PowerVIA povýší a podpůrné obvody pro distribuci signálu >i napájení udělá sendvičově ve vrstvách sousedících se samotnými
>.výpočetními tranzistory. To by se neobešlo bez další technologie, o které >se tu a tam píše už dobrých 10+ let, through silicon via,Viď video z AMD kanálu na youtube aj o TSV
The Bring Up: Computex 2021 and Revolutionary 3D Chiplets
10. 6. 2021
https://www.youtube.com/watch?v=Uh3WobaaP70&t=210s -
jo, o filtrech vi kazdy ale zjistit si, jak cmos chip vypada by bylo moc prace co :)
https://www.programmersought.com/article/48608605931/
takze pokud ty tranzistory a sbernice vycitani signalu daj pod fotodiody a od nich to prostreli pruchodkama dolu zvednou vyrazne "svetelnost?" chipu
-
Pruchodky jo? :) co vam doktor predepsal? Tohle zjednodusovani posilejte sve mame.
Pokud by nekdo byl schopen pridavat kremik az PO umisteni spoju (protoze fotodiody jsou z kremiku), tak tu mame davno ruzne 3D cipy, dela se to jinak, viz prispevek nize (delam v oboru a jsem vysazeny na ty laicke lzive predstavy).
-
ja myslel ze uz je mame
https://en.wikipedia.org/wiki/Through-silicon_via
Image sensors
CMOS image sensors (CIS) were among the first applications to adopt TSV(s) in volume manufacturing. In initial CIS applications, TSVs were formed on the backside of the image sensor wafer to form interconnects, eliminate wire bonds, and allow for reduced form factor and higher-density interconnects. Chip stacking came about only with the advent of backside illuminated (BSI) CIS, and involved reversing the order of the lens, circuitry, and photodiode from traditional front-side illumination so that the light coming through the lens first hits the photodiode and then the circuitry. This was accomplished by flipping the photodiode wafer, thinning the backside, and then bonding it on top of the readout layer using a direct oxide bond, with TSVs as interconnects around the perimeter.[5] -
TSV v BSI snimaci se pouziva proto, ze bond-wires potrebujete pripevnit na vrchni stranu cipu (tam kde jsou filtry/micrococky), ale protoze se wafer behem procesu vyroby otocil (a ztensil), jsou puvodni i/o pady na spodku - tj na spatne strane cipu. Co vim tak nikdo nepouziva flip-chip zpusob pajeni snimace, vyvody jsou klasickymi dratkama z povrchu cipu. Proto TSV.
Samotny stacking je prosty logicky krok - pokud uz musite BSI snimac podlepit druhym nosnym waferem, ktery byl puvodne k nicemu, tak dava smysl tam presunout nektere casti obvodu. Byla by skoda tohle nevyuzit. Ale neni to nativni 3D obvod, ktery by rostl do vysky, je to sendvic nezavyslych cipu.
-
"jsem vysazeny na ty laicke lzive predstavy"
ja jsem zas vysazenej na "odborniky" ktery asi chybeli na zakladce v hodinach cestiny:
Kdyz nekdo (laik) rika nepravdu a nevi o tom - myli se
Kdyz nekdo (odbornik) rika nepravdu a vi tom - lzeLaik nebude v danem oboru lhat prave proto, ze je v nem laik. Nakolik muze byt "lziva" pouha predstava, ponecham na usudku zdejsich ctenaru...
BTW: Takhle to dopada kdyz nekdo tak moc nenavidi laiky, ze je kvuli tomu ze sebe ochoten udelat verejne blce....
