Vlákno názorů k článku Řídíme větší zátěž pomocí počítače od rda - To s tema FET-ama by se melo uvest na...

To s tema FET-ama by se melo uvest na pravou miru – existuje spousta tranzistoru ktere maju Vgsth kolem 0.7 az 2V, takze nutnost budit s 4–5V+ je nesmyslna. Take maji temer vsechny FETy diodu paralelne k spinacimu prvku, takze lze spinat bez problemu i indukcni zatez. Rychlost spinani se ridi odporem do GATE (radu jednotek az desitek ohmu), ale cim delsi spinani tim vetsi dynamicka ztrata (coz muze byt problem u casto spinanych velikych zatezi).

Schematko s bipolarnym invertorem spinajici FET je smesne – jednak pri vypnutem stavu to zere i proud pres odpor v kolektoru a podruhe neskutecne to spomaluje spinaci proces :) (a po treti, zakladny stav je sepnuty a to se nemusi kazdemu libit). Naproti tomu spinac tvoren malym NFET-em a vetsim PFET-em je uz lepsi, hlavne pro pripad kdy je treba spinat pozitivni vetev. Jen pozor na Rds, PFETy ho maji horsi (u stejne ceny)

Zajemcum odporucuji neco rozebrat a najit datasheety, pak uvidi ze to co se realne pouziva za soucastky, jsou omnoho chytrejsi veci, nez jen zhmotnena teorie :)

Přečtěte si datasheet. U výkonových FETů je dioda dimenzovaná téměř na maximální kolektorový proud. Ano, např. u IFR3205 je trvalý proud diodou 62A (Pokud to uchladíte – je na ní podstatně větší napětí (1,4V ~ 87W), než na sepnutém tranzistoru). To se Vám zdá málo? Pokud tu diodu budete zatěžovat trvalým proudem, přidejte tam externí Shottky – je na ní menší napětí a tedy i výkonová ztráta. Pokud jde jen o to „sežrat přechodový vypínací proud“, interní dioda bohatě postačí.

Mam pocit, ze substratova dioda u FETu je u modernich topologii z principu srovnatelna s parametry v propustnem smeru. Jeji hlavni problem je, ze je hodne pomala (reverse recovery), coz zpusobuje hlavni ztraty v aplikacich s castym spinamin (PWM menice). Hlavvne kvuli tomu se pouziva dalsi rychla Shottky dioda (kterou uz IRF i do nekterych FETu integruje)

S indukcni zatezi spinanou proti zeni bych spis videl problem v tom, ze po rozpojeni vznikne kladna napetova spicka – takze body-dioda je uzavrena a nechrani nic.

Z nekterych schemat jsem pochopil, ze pokud je v indukcnosti dost mala energie, dojde k nedestruktivnimu prorazeni FETu a energie ze zateze se proste spali v tranzistoru. Nejaky spinany menic castecne pracoval v tomhle rezimu.

Nevyhoda antiparaelni diody je, ze z indukcnosti odebira jen relativne maly vykon (male napeji na svorkach zateze), takze dlouho trva, nez proud klesne na nulu. Treba u rizeni uniopolarniho krokoveho motoru to muze byt problem (u bipolarniho rizeni se nektere obvody pouzivaji oba rezimy podle potreby).

Jako reseni se nekdy pouziva zenerova dioda (pokud napetove a vykonove staci), nebo transil. Dalsi moznosti je pouzit RC snubber, ale to uz asi chce dost peclivy navrh (jeste ze to jde odsimulovat ve SPICE a nemusi se s tim clovek pocitat ;-) )