Hlavní navigace

Integrované obvody taktované na 3 THz

Jozef Šmihuľa

Vedci z americkej University of Rochester vyvinuli tranzistor nazvaný BDT (Ballistic Deflection Transistor), vďaka ktorému by integrované obvody mohli byť taktované až na 3 THz. Vytvorenie tohto prototypu tranzistora vyšla 1,1 milióna USD.

Nový tranzistor využíva pohyb elektrónov v 2D elektrónovom plyne. Balistický označuje to, že namiesto riadenia toku elektrónov priťahovaním brutálnou silou elektróny vystreľuje oproti centrálnej časti tranzistora, v ktorej je umiestnená štruktúra v tvare trojuholníka. Celý princíp je zobrazený na videu.

(Zdroj: rochester.edu)

Našli jste v článku chybu?