Intel připravuje novou technologii PRAM, která by podle mnohých mohla nahradit stávající flash paměti. Zdá se, že pokud půjde vše dobře, první vzorky by se měly objevit ještě letos. Samsung, IBM a Hitachi společně také pracují na podobné technologii, která má mnohem kratší dobu odezvy (asi 20 ns) než klasický flash (50–90 ns). Další podstatnou výhodou je vyšší počet zapisovacích cyklů, který dosahuje až 100 milionů.
(Zdroj: Slashdot)
