Vlákno názorů k článku Nevolatilní paměti od LL - Pameti flash nejsou z hlediska mazani vyrazne rychlejsi...
-
LL (neregistrovaný)Pameti flash nejsou z hlediska mazani vyrazne rychlejsi nez pameti eeprom, obe pouzivaji pro mazani stejny princip (FN tunelovani). To je take duvod proc se mazani provadi po velkych blocich - trva dlouho a tak se maze velky pocet bitu soucasne aby se cas na jeden bit zkratil. Zapis do flash pameti je naopak zhruba o 2 rady rychlejsi nez u eeprom (tunelovani horkych elektornu), takze se nemusi provadet po blocich. Energeticka narocnost pro zapis jednoto bitu je pomerne velka, takze pocet soucasne zapisovanych bitu je omezen maximalnim prikonem.
-
Pavel TišnovskýZlatý podporovatelVšak píšu, že mazání je kvůli současnému ovlivnění celého bloku velmi rychlé, kde je pls rozdíl? -
LL (neregistrovaný)Pisete: "Mžikové paměti se od EEPROM liší především tím, že je zápis i mazání prováděn po blocích, přičemž mazání je velmi rychlé (mžikové)."
Mazani flash je v podstate stejne rychle jako u eeprom, i tam lze mazat po blocich, pripadne celou pamet najednou. Rozdil mezi "konvencni" eeprom a flash neni v mazani, ale prave v pricipu zapisu. Diky odlisnemu principu je zapis slova rychlejsi.
S tim blokovym zapisem to neni tak jednoduche, velmi casto se zapisuje mnohem mensi cast pameti nez se maze. -
Pavel TišnovskýZlatý podporovatelAno, se zápisem máte pravdu, ale i mazání je u flash pamětí rychlejší. Klasické EEPROM se mazaly klidně i 2-3 minuty, pod minutu jsem žádnou neviděl (ale může existovat, to nepopírám), u Flash jsou to maximálně sekundy. Možná to není dáno ani tak jinou morfologií pamětí, ale vylepšenými algoritmy mazání, ale ty 2-3 minuty byly u Inteláckých EEPROM, které používaly adaptivní algoritmus (bez něj by to snad byly hodiny).
-
LL (neregistrovaný)V soucasne dobe je mozne eeprom pameti mazat radove za jednotky ms az desitky ms (viz datasheet k libovolne prodavane eeprom), takze tam jiz v podstate zadny rozdil neni. K tomu neni treba zadny adaptivni algoritmus, mazani se provadi stejnou technikou jako zapis (prilozenim "vysokeho" napeti na pametovou bunku), jenom s opacnou polaritou.
