EUV je zatím pořád na začátku cesty, ale půde jen nahoru. Přenos světla je na hraně toho co by si výrobci přáli a multi-patterning bude zasraceně drahý špás, jenže pod 7nm se bez EUV nedostaneme. U 7nm je ale zvláštní fíčura. V závislosti na kontextu jde 7nm efektivně vyrábět s EUV i bez něj.
"At 7nm, EUV is particularly useful for single patterning of features with pitches starting at 38nm or 36nm, analysts said. Single patterning EUV also will be used for contacts/vias, which have larger pitches. But this is where the tradeoffs start. For the metal layers, 193nm/multi-patterning extends into the starting point for single patterning EUV. This means chipmakers must decide which technology, EUV or multi-patterning, makes sense for this app."
[https://semiengineering.com/single-vs-multi-patterning-euv/]
Pokud by někdo nevěděl jak se vlastně generuje EUV světlo, tak tady si dovolím citovat:
Generátor kapiček vystřeluje ve vakuové komoře 50 000 nejmenších kapek cínu za sekundu. Každá z těchto kapek je zasažena jedním z 50 000 laserových impulzů a následně přeměněna na plazma. Tak vzniká EUV světlo, které je pomocí zrcadla odkloněno na wafer za účelem jeho osvětlení.
Sám jsem to nevěděl, tak věřím, že to někoho zaujme.
Zdroj: https://www.trumpf.com/cs_CZ/produkty/laser/euv-drive-laser/
Pricom len na EUV optike sa strati 96% a na to aby sa na vyrabany cip dostalo 200W svetelneho vykonu je potrebny celkovy prikon cca. 0,5 MW.
https://en.wikipedia.org/wiki/Extreme_ultraviolet_lithography