Vlákno názorů k článku
Huawei přesouvá 14nm výrobu od TSMC k čínské SMIC
od dustin - O to rychleji se SMIC 5nm proces naučí/zainvestuje.
-
líbí se mi vaše naivní představa "nauči/zainvestuje".. SMIC bude investovat a to do vývoje, nikoliv do učení, protože učit se zde není co.. vlastně dnes jediná firma, která výrobu na těchto rozměrech (7nm, v budoucnu 5nm) zvládá je TSMC a ta si tyhle špičkové technologie hlídá jako oko v hlavě a řekl bych, že do ochrany tohohle know-how zasahuje i vláda.. na něčem spolupracuje se Samsungem, ale to hlavně proto, že další pokrok je extrémně kapitálově náročný..
co vlastně výroba na těchto rozměrech znamená.. nepotřebujete totiž vyvinout jenom samotnou výrobní "litografickou" technologii čipů, ale taky celé výrobní procesy a postupy (např. příprava materiálů, jejich kontrola, ověření kvality, fotokontrola, měření, ...), které nejsou pouze zmenšenimai již dnes vymyšlených.. posun na jinou úroveň znamená, že se posunete rovněž fyzikálně někam jinam = je potřeba další výzkum, lecky i základní (běh na dlouhou trať a firmy s ním začínají dlouho dopředu, než se k danému kroku vůbec dostanou), který vám otevře dveře..
takže se to docela těžko dohání..
a ještě jedno doplnění na úrovni spekulací - usa tlačí i na výrobce výrobních technologií čipů (ASML, ...) aby nedodávaly své pokročilé stroje číňanům.. takže si čiňani třeba budou muset vyvinout i samotné stroje, které dělají litografii..
no není to jednoduché a nebude to hned, ale čiňan to dříve (5 let) či později (15let) dožene, pokud bude chtít..
-
Problém je v tom, že to není tak jednoduchý. Jakmile od EUV přeskočíš na rentgenovou litografii, tak je problém s tím, že sice rentgenové záření má krátkou vlnovou délku, jenže už je ionizující. To má ten důsledek, že když rentgenem prosvítíš litografickou masku, tak sice to záření dopadne tam, kam má, ale zároveň začne nabíjet substrát, na který dopadá. To vede k tomu, že se motiv rozplizne a navíc to jde i do hloubky, takže se může nakrásně stát, že v izolačním oxidu (jak na hradlech, tak obecně) vznikne gradient pole a tranzistory sice budou vypadat jak mají, ale nebudou tranzistorovat, protože budou potřebovat třeba 20V, aby se vyply/zaply (záleží na orientaci gradientu), což je o řád výš, než je průrazné napětí na těchhle vleikostech.
tldr; Rentgenová litografie má jiné zákonitosti než EUV a postupy používané pro přípravu masky i metoda vyvolávání se liší. Přechod není otázkou výměny jedné lampy za druhou.
Zkuste se podívat, jak je složitá optika v současných EUV jednotkách. Na rentgenu to bude ještě větší prů... průduch. Ona totiž ta vyvolávací maska není 1:1, jde o klasický zmenšovák (něco jako zvětšovák na fotky, ale naruby) a k tomu je potřeba zmenšovací optika. Na EUV se to dělá pomocí zrcadel. Jak se to dělá s rentgenem, to netuším. Hádám, že by to šlo magnetickými čočkami, ale tam je otázka opakovatelnosti, stability a zkreslení...
-
Prestante si uz porovnavat tie nanometre!
https://en.wikichip.org/wiki/File:5nm_densities.svg
napr. 10nm od Intelu ma (malinko) vyssiu trochu hustotu ako ako 7nm od TSMC. 6 nm je zas malinko lepsie. "poenta" je, ze nanometre su nicnehovoriaci marketing od momentu, ako si v TSMC vsimli, ze vsetci pisu iba o nanometroch.
