IBM spolu s firmami Samsung a GlobalFoundries představilo první čip s 5nm tranzistory používající novou technologii GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) a také používají jako první EUV (Extreme Ultraviloet) litografii. GAAFET je další evolucí současné technologie finFET, která se používá pro čipy 22 nm a menší. finFET zřejmě nepůjde vyrobit menší než 7 nm. Limit GAAFET spolu s EUV litografií leží asi na 3 nm. Nikdo zatím neví, co bude po 3 nm.
IBM říká, že nový 5nm čip ve srovnání s komerčním 10nm může běžet o 40 % rychleji při stejné spotřebě anebo uspořit 75 % energie při stejném výpočetním výkonu.
