Vědci z university v Lancasteru vyvinuli extrémně úspornou paměť RAM na bázi InAs/AlSb, která vyžaduje napětí pouze 2,6 V a navíc udrží informaci po téměř tři hodiny. Oproti tomu DRAM udrží informaci jen desítky milisekund a musí tak být milionkrát častěji obnoveny, než nové paměti. To přináší velkou úsporu v režimu spánku.
Díky nižšímu napětí a nižší elektrické kapacitě je také přepsání buňky o stejné velikosti 100 x méně energeticky náročné než u DRAM a 1000 x méně než u běžné flash paměti. Celkově se očekává snížení energetické náročnosti velkých počítačů asi od 20 %. Více detailů v článku.
(zdroj: slashdot)
