Názory k článku
Nové transistory kov-vzduch: návrat elektronek a konec polovodičů?
-
Harvie.CZ (neregistrovaný)
A bude to fungovat, kdyz se tam misto vzduchu dostane helium?
https://www.root.cz/zpravicky/zarizeni-od-apple-se-zablokuji-pri-styku-s-heliem/ -
Sinuhet (neregistrovaný)
Každý inertní plyn svítí jinou barvou.
https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/c/ce/Glowing_noble_gases.jpg/1920px-Glowing_noble_gases.jpg
Konečně jsem tuhle vědomost ze základní školy využil. A pak že mi to bude k ničemu :-D -
K> (neregistrovaný)
https://en.wikipedia.org/wiki/Shielding_gas
vysledek by nebyl stejny. neboli helium se pouziva jako primes pro nektere typy svarovani.
-
Miloslav Ponkrác (neregistrovaný)
Ten tranzistor je víceméně demonstrace toho, co už je 100 x známo.
Dostáváte ale mínusy, protože standardem je, že musíte nadšeně jásat třeba 10 x denně, 365 dní v roce nad novou senzační zprávou, jak přišla nová revoluční věc, která všechno překope. To, že takové údajné průlomy technologií čtete i několik denně vás neomlouvá. A pokud dostatečně nejásáte, a pochybujete, tak jste ten, kdo to celé kazí - a bude omínuskován. A ještě možná prohlášen za Putinova agenta.
Ve své podstatě v tak malých rozměrech praktickou použitelnost více určují různé parazitní jevy než cokoli jiného. A to nikdy zatím neřešil. Zatím jen udělali proof of concept, a tím to haslo. Pak se minimálně dalších 20 let bude zjišťovat, že to má spousty problémů.
Jen pro zajimavost, FET tranzistor byl prakticky vyráběn až po několika desetiletích, co byl objeven jako proof of concept. Tak dlouho trvalo než se vychytaly právě ty technologické a jiné detaily, na které se třeba daní výzkumníci vzduchové tranzistoru zvysoka vykašlali.
-
M. (neregistrovaný)
No ale bez proof of concept by ten fet nebyl vyráběn nikdy. On totiž nejdřív přijde nápad, že by něco mohlo fungovat. To se na nějakém nepraktickém bazmeku ověří nebo vyvrati, pak se na tom zjistí různé problémy, které nikoho nenapadly, a ty se pak řeší. A až se vyřeší tak vznikne teprv ten produkt. V jiném pořadí to většinou nejde, pokud nemáte štěstí nebo neřešte nějakou trivialitu.
Navíc na všechen ten výzkum jsou potřeba hory peněz a ty bych nikomu jako investor bez proof of conceptu nedal.
-
Miloslav Ponkrác (neregistrovaný)
Já reagoval spíše na ten bulvární nadpis o konci polovodičů.
1) Tak jsem chtěl upozornit, že cesta od proof of conceptu k produktu je právě v elektronice trnitá a dlouhá - často i desítky roků.
2) Od fáze proof of concept do fáze máme produkt umře 99,9999 % myšlenek. Tedy drtivá většina toho se do fáze produktu nikdy nedostane.
3) Na trhu máme odhadem několik desítek druhů tranzistorů založených na zhruba stejném počtu fyzikálních principů. Přesto žádný z nich nezabil zbylé typy tranzistorů - každý má svá pozitiva i negativa. Dokonce sem tam někdo vydá i tranzistory, které v sobě nemají ani kousek polovodiče - byť zřídka.
-
Petr M (neregistrovaný)
1) Je to tak, princip je jednoduchý, ale okolní vlivy to komplikují. V tomto případě je princip jasně vidět Maxwelových rovnic a něco podobnýho jsme rozebírali ve druháku na Bc na FEKTu. Problém je faktická realizovatelnost.
2) Spíš 9,9999%. Dalších 45% umře na to, že vypadne Google, nebo je dotyčný lenoch a nepokračuje za druhou stránku výsledků. Dalších 45% vypadne, protože autor nerozumí fyzice / matematice a neví, že v jeho prospěch hraje jeden nebo dva fyzikální zákony, ale ostatní zákony jsou proti a chce to hodně práce je přesvědčit, aby pomohli. A většinou se to nepovede vůbec.
3) Já zrovna před sebou vidím pár miliard tranzistorů bez polovodiče ( TFT - momentálně mám na stole 5ks ), mám tady PNP, NPN, P-MOS, N-MOS, ale i IGBT... Některý mají děv hradla, jiný tři emitory. Z materiálů jako GaAs, Si, ... S topologií od planárních po VMOS. Každý je na něco jinýho.
-
MartinX (neregistrovaný)
Ani tie TFT nie su bez polovodica. Polovodicom totiz nemusi byt len kremik, germanium alebo GaAs a podobne zluceniny, polovodicom mozu byt aj organicke latky:
https://en.wikipedia.org/wiki/Organic_semiconductor"A thin-film transistor (TFT) is a special kind of field-effect transistor made by depositing thin films of an active semiconductor layer..."
https://en.wikipedia.org/wiki/Thin-film_transistorMna osobne teda naozaj nenapada, aky dnes bezne predavany typ tranzistoru funguje bez polovodica, teda je skonstruovany len z vodicov a izolantov.
-
Miloslav Ponkrác (neregistrovaný)
Už vidím 3d síť plnou nanometrových vzduchových bublin. To bude krásně mikrofonické a skvěle citlivé na vibrace. Možná se jim podaří stvořit nejcitlivější mikrofon či seismometr na světě - a to bude všechno.
On je to hlavně jen proof of concept, nikoli prakticky použitelná věc. Nic, co by člověka nenapadlo, a nejspíše to už někdo xkrát objevil předtím. Ovšem jestli to prakticky a v praktických parametrech bude k něčemu, je jiná věc.
-
Miloslav Ponkrác (neregistrovaný)
Toto ale není žádný vynález, a koneckonců tu není ani produkt. Je to princip, který se v řadě případů využívá už mnoho let.
Už snad skoro století se ví, že pokud nebude v cestě polovodič, může ta součástka být rychlejší. Zvláště pokud tam není polovodič typu P. A mnohé součástky už se podle tohoto poznatku konstruují a prodávají.
Využití vysoké intenzity elektrického pole řízené jiném polem - to už tu bylo tolikrát, včetně vzduchové mezery - a hledá se už celá desetiletí, jak to udělat technologicky, ekonomicky i spolehlivostně dobře.
Vzduchová mezera v transistorech byla v laboratořích už tolikrát, že je to klišé, např. zde: https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.121914
Jen se ty vzduchové mezery jaksi ještě nepodařilo nikdy uvést masově do produktů. A teď se dozvídám, že jakýsi tým zjistil (asi po tisícté), že by mohl být tranzistor se vzduchovou mezerou. Ale že se to musí vyřešit prakticky. Tedy je to asi potisícté, co se v laboratoři vyzkoušela vzduchová mezera, a zatím to tam vždy umřelo. Tedy pokrok není ani o píď.
-
Petr M (neregistrovaný)
Jo, využívají, dokonce na čipech. V MEMS. Ale tam se hraje na kapacitu, ne na kanál tranzistoru a vzduch je tam jako dielektrikum / materiál, ve kterým se to pohybuje.
Tohle vidím jako prakticky nepoužitelnou věc. Z mnoha důvodů. Malý procházející proud (limitovaná zátěž), jenom jeden typ vodivosti ( zapomeň na push-pull, budou tam pasivní zátěže - odběr jak kráva ), citlivost na vibrace, ...
Prakticky, kdyby vyřešili problémy, se dostanou na úroveň NMOS čipů ze 70. let s tím, že tam stejně musí být Si na I/O buffery. A vývoj by začal od výkonu I8080 nanovo.
-
K> (neregistrovaný)
hadam ze woflram, zlato nebo platina nebudou jedine pouzitelne kovy. druha vec je, ze z daneho kovu potrebujes jen spicku te elektrody, zbytek vodicu muze byt klasika. a i tak toho kovu tam bude porad mnohem mene, nez kolik je kremikoveho substratu.
ale ok, priste pridej jeste vice sarkasmu a uz budes mit urcite pravdu :P
-
Petr M (neregistrovaný)
No nastavování kovu jiným, ještě lepší. Zkomplikujeme technologii výroby o další operaci. A ještě si tam zavedeme teplotní závislost jako bonus (Seebeckův jev, kdybys to hledal). Potřeby toho kovu se tím stejně nezbavíš, jenom snížíš množství. a 0,5g/čip na 0,2g/čip. A to se vyplatí.
A navíc míň ušlechtilý kov ti bude oxidovat. I když je fakt, že třeba ZnO je za jistých okolností taky polovodič a tranzistor z něj na stole ještě nemám...
-
K> (neregistrovaný)
mno, struktura stavajicich tranzistoru je mnohem komplikovanejsi nez toho noveho. tedy pocet vyrobnich kroku bude dozajista vetsi, hadam minimalne 5x pro jednoduche FETy. ten novy tranzistor - to jsou jen naparene elektrody na spravnem substratu, u stavajicich tranzistoru se musi implantovat primesi a deponovat elektrody a bambilion dalsich veci.
takze 3 kroky navic nic moc neni (maska, naparovani, odstraneni masky). porad to bude min nez u stavajicich tranzistoru, kde se mluvi az o desitkach kroku.
mimochodem tenke vrstvy na elektrodach pro snizeni vystupni prace se pouzivaly uz ve starych elektronkach. a slo o vrstvy o tloustce nekolika molekul. nevymyslel jsem nic noveho, jen jsem si vzpomnel na par prednasek. ale urcite starym kadrum vysvetlis, jak to tehda delali spatne. takze bud si odpust ten sarkasmus a irionii, nebo si o tom neco nastuduj.
