Společnost Intel dokončila fázi vývoje nového výrobního procesu, který zmenší rozměr tranzistorů v počítačových čipech na 32 nanometrů. První prototyp byl veřejnosti představen v září. Probíhá také příprava na nový výrobní proces zvyšující výkonnost tranzistorů a jejich energetickou úspornost. Předběžné odhady hovoří o čtvrtém čtvrtletí roku 2009.
Studie a prezentace společnosti Intel na téma 32nm výrobního procesu podrobněji popisuje technologický postup, využívající druhou generaci high-k + metal gate technologie, 193nm imersní litografii a pokročilé techniky napětí transistorů. Tyto funkce zvyšují výkon a energetickou účinnost procesorů Intel. Výrobní proces tak dosahuje nejvyššího výkonu hustoty tranzistorů ze všech dosud známých 32nm technologií.
