Hlavní navigace

Intel dokončil vývoj 32nm výrobního procesu

Sdílet

Petr Krčmář 10. 12. 2008

Společnost Intel dokončila fázi vývoje nového výrobního procesu, který zmenší rozměr tranzistorů v počítačových čipech na 32 nanometrů. První prototyp byl veřejnosti představen v září. Probíhá také příprava na nový výrobní proces zvyšující výkonnost tranzistorů a jejich energetickou úspornost. Předběžné odhady hovoří o čtvrtém čtvrtletí roku 2009.

Studie a prezentace společnosti Intel na téma 32nm výrobního procesu podrobněji popisuje technologický postup, využívající druhou generaci high-k + metal gate technologie, 193nm imersní litografii a pokročilé techniky napětí transistorů. Tyto funkce zvyšují výkon a energetickou účinnost procesorů Intel. Výrobní proces tak dosahuje nejvyššího výkonu hustoty tranzistorů ze všech dosud známých 32nm technologií.

Našli jste v článku chybu?
  • Aktualita je stará, nové názory již nelze přidávat.
  • 11. 12. 2008 8:49

    anonymní
    zvyšující výkonnost tranzistorů - vykonnost tranzistoru?
    pokročilé techniky napětí transistorů - technika napeti tranzistoru?
  • 11. 12. 2008 9:09

    JirkaS (neregistrovaný)
    "Výkonnost tranzistoru" raději nekomentuji vůbec.
    "Napětím transistorů" je zřejmě myšleno to, že je použit strained silicon (česky snad předepjatý, napnutý křemík). O co přesně jde, je popsáno třeba zde:
    http://www.cdr.cz/a/11493