Jihokorejský gigant oznámil spuštění sériové výroby nových 250GB SSD, která používají nejnovější generaci firemních vrstvených V-NAND flash čipů se 100+ vrstvami (bez bližšího upřesnění, předpokládejme tedy ±128 vrstev, celá konstrukce nese 136 vrstev). Čipy mají kapacitu 256 Gbitů a Samsung je stihl uvést na trh výrazně před plánovaným startem výroby.
Zásadní výhodou upravené technologie (nový hole-etching = nárůst počtu buněk o 40 % na dané ploše oproti 9×-vrstvým předchůdcům) je skutečnost, že již nyní firma hovoří o výrobě 512Gbit čipů a dodává, že současnou technologií půjde vyrábět i více než 300vrstvé čipy prostým spojením tří 100(+)vrstvých celků do jednoho čipu. Nový čip je rychlejší v operacích čtení/zápisu (nárůst výkonu o 10 %) a jeho spotřeba klesla o 15 % oproti předchozí generaci. Výtěžnost výroby díky snížení počtu průchozích děr mezi vrstvami vzrostla o 20 %.
Nástupnický 512Gbit TLC čip bude uveden na trh v SSD a eUFS produktech ještě v tomto roce.
