Na vlastním Samsung Foundry Forum 2019 USA ohlásil jihokorejský gigant několik novinek. Vévodí jim pokrok ve vývoji budoucího 3nm výrobního procesu.
Ten nese označení 3nm GAE (Gate-All-Around) a jeho příslušní PDK (Process Design Kit) je nyní ve verzi 0.1. Ta byla distribuována partnerům, kteří tak mohou začít přípravné fáze ve vývoji vlastních čipů pro tento budoucí výrobní proces.
Oproti současné 7nm výrobě Samsung hovoří o 45% poklesu velikosti čipů a o 50% poklesu jejich spotřeby (či naopak až 35% navýšení výkonu při spotřebě stejné). Ve své variantě výrobního procesu zde Samsug využívá patentovanou technologii MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) využívající nanovrstvy schopné vést vyšší proudy oproti propojením pomocí vodičů. MBCFET je přitom kompatibilní se stávající technologií FinFET.
Samsung již začal s výrobou zkušebních čipů na bázi procesu 3GAE a nyní bude pracovat na zlepšení poměru výkon/spotřeba. Jinak letos firma očekává náběh sériové výroby 6nm procesem a dokončení vývoje 4nm procesu. V první polovině příštího roku firma očekává spuštění sériové výroby 5nm procesem.
