Hlavní navigace

Samsung posouvá NAND flash technologii na 160 vrstvev v čipu

Sdílet

David Ježek 21. 4. 2020
Intel wafer Autor: Steve Jurvetson, podle licence: CC BY-SA 2.0

Samsung Electronics pokračuje v evolučním vývoji své technologie vrstvených NAND flash čipů, jež označuje V-NAND. Sedmá generace přinese přechod na 160 a výhledově i více vrstev v jednom pouzdře čipu. Aktuálně je tato hodnota tím, co primárně posouvá kapacity a snižuje ceny, samozřejmě vedle využívání NAND flash buněk pro více a více bitů (po SLC – MLC – TLC – QLC přichází PLC technologie, 5 bitů v jedné paměťové buňce).

Sedmá generace Samsung V-NAND je zatím ve vývoji, na trh se čipy této generace dostanou nejdříve za několik měsíců. Aktuálně nejpokročilejší NAND flash čipy na trhu využívají 128 vrstev (loni je ohlásil jak Samsung, tak SK Hynix a letos takovou technologii dovyvinula i čínská YMTC, od níž čipy čekejme na přelomu roku).

Našli jste v článku chybu?
  • Aktualita je stará, nové názory již nelze přidávat.